美光（MU.O）于北京时间2026年3月19日美股盘后发布2026财年第二季度财报（截至2026年1月），核心表现如下：
2026Q2财报核心表现
整体业绩
美光本季度营收238.6亿美元，环比增长75%，显著超预期（199亿美元）。收入增长源于DRAM与NAND业务共同拉动，两大业务环比增幅均超70%。毛利率达74.4%，高于预期（69%），主因存储价格大幅上涨，DRAM及NAND均价环比涨幅均超60%。
DRAM业务分析
实现收入188亿美元，环比增长73.6%。其中DRAM均价提升65%，出货量微增5%。细分领域：①传统DRAM贡献主要增量，收入约160亿美元，环比增80%以上，AI需求拉动DDR产品复苏；②HBM收入预估27亿美元，环比增5亿美元，受益于HBM3E、HBM4量产。
NAND业务表现
收入50亿美元，环比增长82%。出货量仅增2%，均价环比上涨78%。行业前期因市场低迷缩减产能，叠加AI需求向NAND延伸导致供需错配，推动价格回升。
费用与利润
收入扩张带动费用率下降，核心经营利润161亿美元，经营利润率67.6%。利润提升关键因素为收入增长及毛利率改善。
业绩展望
预计2026财年第三季度营收327.5-342.5亿美元（环比增40.4%），毛利率81%，均大幅超市场预期（268亿美元/76%），主因传统存储产品持续涨价。
行业战略与市场展望
传统存储周期延续
近八成收入来自DRAM，其中非HBM产品占比显著。AI模型重心转向推理阶段，提升DDR需求：单颗Vera CPU需求达1.5TB（为Grace的3倍）；NVIDIA Rubin CPX采用GDDR7方案进一步拉动需求。
AI驱动存力需求升级
存储周期核心由AI增量需求推动，传统终端市场表现平淡。数据中心矛盾正从"算力端"转向"存储端"：Blackwell至Rubin架构新增DPU（NAND）、LPU（SRAM）等存储方案。模型推理阶段存力重要性超越算力，缓解"内存墙"问题。
资本开支动向
2026财年资本开支上调至250亿美元（原200亿），超预期（225亿）。管理层明确2027财年将继续扩产，但暗示"2027财年之后资本开支可能回落"。短期需关注三星罢工事件影响（占DRAM市场40%份额），若5月21日罢工持续，生产线重启或需两月。
市场关键验证点
①战略客户协议升级：推出5年期SCA替代原1年LTA，强化合作深度；②需求保障度：核心客户中期需求满足率维持50%-2/3；③长期确定性：云厂商签订长约将提升业绩可持续性。管理层对2027年后供需谨慎，反映行业仍具周期属性。
当前增长确定性集中于2026-2027年，但中长期资本开支回落预期制约公司估值空间，需持续跟踪客户需求保障度及长期协议进展。
业务拆分验证
收入与毛利率
Q2毛利率74.4%，环比提升18.4个百分点，主要受产品提价驱动。存货周转天数降至121天，处于低位水平。下季度毛利率指引81%，或受三星潜在罢工事件进一步推动。
DRAM业务细分
HBM：收入预估27亿美元，环比增5亿。三星HBM3E获认证后，三巨头重回竞争同一起点，HBM4进展成份额争夺关键。
传统DRAM：收入160亿美元，环比增80%，AI推理需求直接拉动DDR用量增长。
NAND结构性机遇
NVIDIA Rubin架构新增ICMS平台，以NAND作为"外挂内存"：单GPU可扩展16TB，单NVL72系统拓展1152TB需求。供应端产能向DRAM倾斜，叠加需求外溢，共同推动价格持续上涨。
