2026年1月4日，杭州士兰微电子股份有限公司在厦门市海沧区举办产业项目重要仪式，“8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线通线仪式”与“12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目开工典礼”同期举行，标志着企业在第三代半导体和高端模拟芯片领域的产能布局取得阶段性进展。
此次通线的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线，由士兰微电子自主完成技术研发与规模化量产筹备。项目实施过程中，团队攻克了8英寸碳化硅晶圆制造中的多项核心工艺难点，实现了从实验室技术验证到量产线落地的转化，为后续稳定交付奠定了基础。该产线属于士兰微电子厦门120亿元总投资项目的组成部分，项目分两期建设，全部达产后可形成年产72万片8英寸SiC芯片的生产规模。
其中，一期项目计划在2026年至2028年逐步推进产能爬坡，达产后具备年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的能力。投产后，产线产出的芯片将主要面向新能源电动汽车、光伏、储能、充电桩、大型白电、AI服务器电源、工业电源等领域，助力下游客户优化产品的系统能效与功率密度指标。
同步启动的12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目，规划总投资200亿元人民币，分两期实施。一期投资100亿元，聚焦汽车、大型算力服务器、机器人、风光储、工业、通讯等高端应用场景，产品将覆盖相关领域对高性能模拟芯片的需求。
按照建设规划，该12英寸高端模拟产线一期计划于2027年四季度实现初步通线，2030年完成达产，届时可形成年产24万片12英寸模拟集成电路芯片的生产能力。二期将追加投资100亿元，在一期基础上扩大产能，两期全部建成后，合计将形成年产54万片12英寸高端模拟集成电路芯片的产能规模。
士兰微电子表示，两条产线的推进，是企业强化自主制造能力的具体举措。8英寸碳化硅产线的通线，将推动第三代半导体产品的规模化供应能力提升；12英寸高端模拟产线的建设，则将进一步完善企业在特色工艺领域的布局，支撑高端模拟芯片的自主可控生产，助力相关产业供应链的稳定。