SK海力士重组中国业务：退出上海，转向无锡

SK海力士正在重组中国区业务

韩国最大的半导体巨头之一 SK 海力士准备重组中国业务，目前正在清算 2006 年成立的上海子公司，并计划将之重点转移到无锡，视无锡为其在中国的新业务中心。

SK 海力士 3 月 17 日发布的 2023 年审计报告显示，该公司自 2023 年第四季度起就开始清算其已运营 17 年的上海公司。

SK 海力士在中国有三家工厂：无锡 DRAM 厂、大连 NAND 厂以及重庆封装厂。

SK 上海公司的销售额持续下降，并且，无锡和上海距离不远，但无锡在用人成本、土地成本等上远低于上海。

于是，退出上海，转向无锡，这个决定也就顺理成章了。知情者表示，SK 海力士决定清算上海销售公司，加大对无锡厂的投入，旨在扩大产能和市场份额。

着手“升级”无锡的C2工厂

早在今年 1 月 13 日，《首尔经济日报》就曾报道，SK 海力士开始“升级”无锡工厂。

无锡工厂是 SK 海力士最主要的海外生产基地，约占该公司 D-RAM 总产量的 40%。2019 年 9 月，SK 海力士在无锡的半导体工厂使用中国自产的氟化氢完全取代了日本产品。

但是目前，该厂生产的是第二代（1y）和第三代（1z）D-RAM，这些产品都属于旧（传统）产品线。

海力士计划对无锡 C2 工厂进行改造，升级为第四代（1a）D-RAM 工艺，这种工艺可以达到 10 纳米级别。

破局刻不容缓，但很难

至于 SK 海力士为何要如此着急升级并着重于无锡，主要是因为高性能 DRAM 芯片的产能扩张开始进入了刻不容缓的时机点。

一方面，过去两年存储行业的持续低迷给 SK 海力士造成不小冲击。另一方面，中国国内的存储厂商也在不断发力蚕食其份额，众多因素导致其亏损增加。

财报显示，2023 财年 SK 海力士的营收为 32.7657 万亿韩元，净亏损为 9.1375 万亿韩元。

破局势在必行。

去年 10 月业绩发布会上，SK海力士宣布，“2024年，我们计划将重点放在工艺转换而不是产能扩张上。” “我们将确保到 2024 年底，第 4 代和第 5 代 DRAM 产量占一半以上。”

SK 海力士加大在先进芯片封装方面的支出，希望满足人工智能（AI）开发中关键组件 HBM（高带宽存储器）的需求，以便破除市场份额被蚕食的困境。

无锡作为 SK 海力士除在韩国外重要的生产基地，升级是必要的也是必须的，其承担的历史使命也很显而易见 —— 解决第五代 DRAM 研产问题。

不过，无锡工厂改造成 10 纳米级第四代 DRAM 或更高工艺，这件事并不容易 —— 美国禁止进口半导体加工的必备设备到中国大陆。海力士无法将 EUV 曝光机引进无锡，因此面临无法在规定范围内生产该 DRAM 的情况。

目前，SK 海力士尚未确认无锡工厂工艺转型的具体运营计划。

关于海力士

海力士（Hynix）是韩国最大的芯片生产商之一，即原现代内存，2001 年更名为海力士，2012 年更名 SK 海力士。

海力士半导体是世界第三大 DRAM 制造商，在全球半导体公司中位居第九。

继三星和美光后，SK 海力士也表示将于今年上半年投产 HBM3E，并斥资 10 亿美金加码 HBM 先进封装，计划将今年的资本支出压在 HBM 等高端存储产品上。

行业相关人士预计，今年香港、台湾等对高价值存储半导体的需求将会复苏，SK海力士的中国业务或将再次抓住机遇，从而获得更好发展。