一、综述
英诺赛科（Innoscience，股票代码：02577.HK）是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全产业链模式，建立了全球首条产能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圆量产线。是全球首家实现8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）晶圆量产的IDM（设计-制造-封测一体化）企业，总部位于苏州吴江区。公司产品覆盖消费电子、数据中心、新能源汽车等领域，2023年以33.7%市场份额位居全球氮化镓功率半导体行业首位。2024年12月登陆港交所主板，募资13.02亿港元，基石投资者包括意法半导体、江苏国企混改基金等。
英诺赛科（02577.HK）港
二、公司成立及股份结构
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成立时间：2015年12月（苏州公司），2017年完成股份制改革。 -
创始人：骆薇薇博士。 -
上市情况：2024年12月30日港交所上市，代码02577.HK，发行价30.86港元/股。 -
股东结构：大股东深圳市招银成长拾柒号股权投资基金合伙企业（有限合伙）持股10.9352%；战略投资者包括意法半导体（认购5000万美元）、江苏国企混改基金（2500万美元）、上海英诺优朋企业咨询合伙企业（有限合伙）、苏州市吴江产业投资有限公司、苏州英诺芯企业管理中心（有限合伙）、深圳市招银朗曜成长股权投资基金合伙企业（有限合伙）等。
三、主营业务与产能
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产品矩阵： -
电压覆盖15V-1200V，包括分立器件、集成电路、晶圆及模组。 -
创新产品：双向导通氮化镓（VGaN）芯片、车规级芯片（用于OBC、激光雷达）。 -
产能： -
2024年末产能达1.3万片/月（全球最大8英寸GaN晶圆产能）。 -
2025年目标扩至2万片/月，5年规划7万片/月。 -
生产基地：苏州（16.25万㎡）和珠海（3.02万㎡）双基地。
四、财务状况
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营收：2023年收入5.9亿元，2024年上半年营收3.86亿元（同比+25.2%）。 -
增长性：2021-2023年营收复合增长率194.8%。 -
募资用途：60%用于扩产，20%研发，10%全球分销网络建设。
五、上下游客户
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核心客户： -
消费电子：安克、vivo、小米。 -
新能源：宁德时代（2024H1占营收27.1%）。 -
汽车电子：未公开车企及激光雷达厂商。 -
国际合作：意法半导体（技术联合开发）、英飞凌等。
六、竞争力分析
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技术优势：全球唯一能量产全电压谱系GaN产品的公司，8英寸晶圆技术使成本降低30%。 -
专利壁垒：全球累计专利793件（授权406件）。 -
市场地位：2023年全球氮化镓功率半导体市占率42.4%（出货量第一）
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七、近期动态
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技术合作：2025年4月与意法半导体签署GaN联合开发协议。 -
新兴领域：车规级芯片出货量同比增986.7%，AI数据中心芯片出货量增669.8%。 -
专利胜利：2025年3月美国专利局宣告竞争对手EPC专利无效。 -
英伟达供应商：10月13日，英伟达在官网发表了一篇名为《构建800伏直流电生态系统，打造高效可扩展的AI工厂》的文章，并同步更新了其800V系统的供应商名单，其中英诺赛科成为了唯一一家进入合作名单的中国本土功率半导体企业
八、对外投资分析
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战略投资：意法半导体持股（5000万美元），强化技术协同。 -
产能扩张：苏州二期规划20万片/年产能，支撑AI服务器及电动汽车需求。 -
风险提示：需警惕价格战及SiC-GaN混合技术竞争。
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