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DBC:直接键合铜陶瓷基板(Direct Bonded Copper)

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制作过程:利用陶瓷基片(Al2O3或AlN)与铜箔在高温下(1065℃)共晶烧结而成,最后根据布线要求,以刻蚀方式形成线路。
优点:由于铜箔具有良好的导电、导热能力,而氧化铝能有效控制Cu-Al2O3-Cu复合体的膨胀,使DBC基板具有近似氧化铝的热膨胀系数,因此,DBC具有导热性好、绝缘性强、可靠性高等优点,已广泛应用于IGBT、LD和CPV封装。特别是由于铜箔较厚(100~600μm),在IGBT和LD封装领域优势明显。
缺点:①DBC制备利用了高温下Cu与Al2O3间的共晶反应,对设备和工艺控制要求较高,基板成本较高;
②由于Al2O3与Cu层间容易产生微气孔,降低了产品抗热冲击性;
③由于铜箔在高温下容易翘曲变形,因此DBC表面铜箔厚度一般大于100μm;同时由于采用化学腐蚀工艺,DBC基板图形的最小线宽一般大于100μm。
这种工艺在高功率电子产品中得到了广泛的应用,如LED照明、电力电子、半导体器件等。
Q from @陶瓷基板pcb
碳化硅产业链也可分为三个环节:分别是上游衬底,中游外延片和下游器件制造。
①海外碳化硅单晶衬底企业主要有Cree、DowCorning、SiCrystal、II-VI、新日铁住金、Norstel等。其中CREE、II-VI等国际龙头企业已开始投资建设8英寸碳化硅晶片生产线。
中国企业以天科合达和山东天岳为主的SiC晶片厂商发展速度较快,市占率提升明显。 三安光电在SiC方面也在深度布局。山东天岳、天科合达、河北同光、中科节能均已完成6英寸衬底的研发,中电科装备研制出6英寸半绝缘衬底。华润微电子拥有3条6英寸产线和一条正在建设的12英寸产线,并拥有国内首条实现商用量产的6英寸碳化硅晶圆生产线。露笑科技2020年引进碳化硅重磅研发团队并联合合肥政府共同投资碳化硅。
②国外外延片企业主要有DowCorning、II-VI、Norstel、CREE、罗姆、三菱电机、英飞凌等;国内从事外延片生长的企业包括厦门瀚天天成和东莞天域半导体等;模块方面有斯达半导体、比亚迪电子、中车时代电气等公司。

③器件方面相关国外主要企业包括英飞凌、CREE、罗姆、意法半导体等。
国内厂商
器件:泰科天润、瀚薪、扬杰科技、中电55所、中电13所、科能芯、中车时代电气等;模组:嘉兴斯达、河南森源、常州武进科华、中车时代电气目前碳化硅市场处于起步阶段。
从事碳化硅器件设计制造的企业包括泰科天润、华润微电子、绿能芯创、上海詹芯、基本半导体、中国中车等。同时从事外延生长和器件制作的企业包括中电科五十五所、中电科十三所和三安集成等。
碳化硅器件领域代表性的企业中,目前来看在国际上技术比较领先的是美国的Cree,其覆盖了整个碳化硅产业链的上下游(衬底-外延-器件),具有核心的技术。
下游碳化硅器件市场,美国Cree占据最大市场份额,其次为罗姆和英飞凌,且英飞凌已经推出了采用转模封装的1200V碳化硅(SiC)集成功率模块(IPM),并大规模推出了SiC解决方案。
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