DPC陶瓷基板具有优良的导热/耐热性、图形精度高、垂直互连能力等技术优势。它们广泛应用于功率半导体照明（白光LED）、灭菌（深紫外LED）、激光和光通信（LD&VCSEL）、热电冷却（TEC）等领域。
DPC陶瓷基板的制备工艺主要包括：
（1）在陶瓷基体上溅射金属种子层（Ti/Cu）。
（2）涂感光干膜。
（3）通过曝光、显影形成图案。
（4）采用图案电镀加厚铜层。
（5）基板表面研磨（控制铜层厚度及均匀性）。
（6）去除干膜，蚀刻晶种层，最后进行表面处理（如化学镀银或镍金）。
DPC陶瓷基板制备过程中，电镀电流分布不均，导致基板表面铜层厚度不均匀（厚度差可超过100μm）。表面研磨是控制电镀铜层厚度、提高其均匀性的关键工序，直接影响陶瓷基板的性能和器件封装的质量。
由于铜材料具有良好的延展性，在磨削过程中很容易产生塑性变形（划痕或铜皮），带来很大的挑战。 DPC陶瓷基板表面铜层的研磨技术主要有四种：
（1）砂带磨削：
砂带磨削是一种常用的金属表面粗磨削技术。它利用滚筒上的砂带对传送带上的样品进行快速研磨，研磨效率高。
但砂带磨削的磨削速率明显高于数控磨削和陶瓷刷磨削，但表面粗糙度和厚度均匀性相对较差。另外，可能会出现由铜层边缘的塑性变形引起的明显缺陷。
（2）数控磨削：
数控磨削主要采用数控磨床。最初，将砂纸贴在磨床的刀头上。固定在平台上的陶瓷基板通过旋转的刀头快速研磨。 CNC磨削工艺简单，磨削比较均匀。但消耗砂纸量大，需要人工更换。
（3）陶瓷刷研磨：
陶瓷刷磨削是利用高速旋转的轮面涂有陶瓷/金刚石复合磨料，对传送带上以一定速度运动的陶瓷基体进行磨削。由于辊轴上的压力传感器可以控制研磨压力，橡胶起到缓冲作用，陶瓷刷研磨可以有效控制基材表面铜层的厚度和均匀性。
（4）化学机械抛光（CMP）：
当 DPC 陶瓷基板需要高表面要求时，CMP 是首选研磨技术。对于某些要求进一步提高陶瓷基板凝固晶体区域质量（要求表面粗糙度低于0.1μm，厚度偏差小于10μm）的光电器件（如激光LD和VCSEL），必须采用CMP。
由于CMP研磨液中磨粒粒径较小，导致研磨效率较低。因此，CMP仅适用于表面质量要求较高的精磨处理，必须与数控磨削、陶瓷刷磨削等预处理技术相结合。
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