
产业领域:机械制造
本发明涉及一种铝镓合金及其制备方法、氢氧化铝纳米棒及其制备方法,属于纳米氢氧化铝制备技术领域。本发明铝镓合金中Ga、In、Sn的质量百分比之和为5~15%,所述Ga、In、Sn的质量比为65:22:13,余量为Al和不可避免的杂质。本发明铝镓合金,可用于制备氢氧化铝纳米棒,Ga、In、Sn所形成的低熔点相(Ga?In?Sn共晶,GIS)覆盖在铝晶粒表面,不但破坏铝氧化膜的完整性,还为参与反应的铝提供扩散通道,可大幅缩短铝水反应时间,提高反应效率。
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发展运营部 崔灿
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