这种新型存储有望杀入嵌入式市场

Cerfe Labs Inc.（德克萨斯州奥斯汀）是一家旨在将名为 CeRAM 的非易失性存储器商业化的初创公司，它正在追求极端温度能力，以此作为获得市场吸引力的一种方式。

该公司由 ARM 研究界的一些领导者于 2020 年成立，致力于相关电子随机存取存储器 (CeRAM) 和铁电存储器。

CeRAM 基于金属到绝缘体的状态转变，以及它们在氧化镍等过渡金属氧化物中的逆转。该技术被认为与其他新兴的非易失性技术有着根本的不同，例如丝状电阻 RAM (ReRAM) 和相变存储器 (PCM)，尽管在微观尺度上获得了相关电子活动和带隙变化的证据已经很难。

Cerfe Labs 的首席技术官兼联合创始人 Greg Yeric 告诉eeNews Europe：“我们展示了从 0.88K 到 300 摄氏度的 CeRAM 切换。两种电阻状态在高达 500 摄氏度的温度下保持稳定烘烤 110 小时。” 他补充说：“在这个操作窗口的极端，有一些未被满足的非常利基需求，我们希望利用这些需求继续为通用存储器的技术开发提供资金。”

因此 CeRAM 作为通用非易失性存储器仍然是 Cerfe Labs 的长期目标，但在短期内，Yeric 正在寻找一些小批量、高价值的应用来推动 CeRAM 的开发和扩展。

“我们刚刚将美国能源部的第一阶段 SBIR 转换为第二阶段，在低温侧，以便将该内存作为量子计算机的冰箱内接口内存进行检查，”Yeric 说。“我个人认为在高温方面有更多的机会，但真正的牵引力还有待决定，”他补充道。

Yeric 说，德克萨斯大学达拉斯分校材料科学系正在进行的表征工作表明，CeRAM 的使用寿命大大超过 10 年，并且具有出色的抗辐射能力和极端温度能力。他说，相同的 CeRAM 设备无需修改即可在规模的两端运行。

Cerfe Labs 的其他计划包括在 IMEC 研究所制造集成在商业 CMOS 上的原型 CeRAM，以及在达拉斯德克萨斯大学将 CeRAM 扩展到 20nm。预计氧化铪作为 CeRAM 材料的研究将在这两个地点进行。科罗拉多大学博尔德分校是继续研究低温应用的地方。

随着最近英特尔的 Optane 内存的消亡，这是基于硫属化物玻璃内的材料相变，任何和所有所谓的新兴非易失性内存的前景– ReRAM、MRAM、PCM 和 CeRAM – 已成为人们关注的焦点。英特尔试图为其 PCM 形式购买临界质量，作为固态驱动器中的 NAND 闪存替代品，但成本很高且没有成功。

Yeric 表示，CeRAM 需要找到一个尚未满足的利基市场，它是最适合的内存，作为量产的垫脚石，并有机会攻击其他嵌入式市场。