来源：快科技
在宣布骁龙430、617的两款新品的同时，高通今天还发布了新一代快速充电技术：Quick Charge 3.0，号称比上一代效率提升38%，快速充电速度最高达27%，同时帮助保护电池寿命周期。
高通“快速充电3.0”技术亮相 速度大增
据高通介绍，Quick Charge 3.0首次采用了“最佳电压智能协商”（Intelligent Negotiation for Optimum Voltage，INOV）算法，可在任意时刻实现最佳功率传输，且最大化效率。
据了解，Quick Charge 3.0能在大约35分钟内将一部典型的手机从零电量充电至80%，而不具备Quick Charge的传统移动终端通常需要大致一个半小时的时间。相比两代产品：
1、与Quick Charge 2.0相比，提高快速充电速度最高达27%，或减少功率损耗最高达45%。
2、比Quick Charge 1.0快2倍的充电速度。
高通“快速充电3.0”技术亮相 速度大增
充电电压方面，Quick Charge 2.0提供5V、9V、12V和20V四档充电电压，Quick Charge 3.0则以200mV增量为一档，提供从3.6V到20V电压的灵活选择。这将允许手机获得恰到好处的电压，达到预期的充电电流，从而最小化电量损失、提高充电效率并改善热表现。
此外，Quick Charge 3.0能够与Quick Charge之前的版本及充电器（包括USB Type-C）前向和后向兼容，并且拥有同样的超快充电速度，以及独立电路，为OEM厂商提供更灵活的选择，还有帮助达到质量和安全标准的UL认证。
首批支持Quick Charge 3.0技术的处理器包括骁龙820、骁龙620、骁龙618、骁龙617和骁龙430，终端预计明年上市。
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