![[新品] 采用增强型CoolSiC™ MOSFET（M1H）新一代碳化硅Easy模块](https://cdn.10100.com/user/1729363e140ee75b9120a8131781e1ba.png?x-oss-process=style/180x)
新品
采用增强型CoolSiC™ MOSFET
（M1H）新一代碳化硅Easy模块
新一代碳化硅模块采用增强型CoolSiC™ MOSFET（M1H）首发型号为EasyPACK™和EasyDUAL™封装。
相关器件：
▪ FS55MR12W1M1H_B11
55mΩ 1200V三相桥
▪ FF2MR12W3M1H_B11
2mΩ 1200V半桥
▪ F3L8MR12W2M1H
8mΩ 1200V NPC2三电平
新一代碳化硅模块采用增强型CoolSiC™ MOSFET（M1H），首发型号为EasyPACK™和EasyDUAL™封装。
CoolSiC技术取得的最新进展，M1H芯片的栅极驱动电压窗口明显增大，推荐的VGS(on)为15-18V，VGS(off)为0-5V，最大栅极电压扩展至+23V和-10V。从而降低了既定芯片面积下的导通电阻。与此同时，随着栅极运行窗口的扩大，栅极能很好地耐受与驱动器和布局相关的电压峰值，即使在更高开关频率下亦不受任何限制。VGS(th)稳定性的提高，大大减少了动态因素引起的漂移。
此外，允许该器件在175°C以下运行，以满足各种应用的过载条件。器件的基本理念没有改变，芯片的布局和尺寸没有改变。
第一批推出的型号包括Sixpack三相桥，三电平NPC2和半桥拓扑产品，封装分别采用Easy 1B, 2B和3B。有了这第一个全碳化硅的CooSiC™ EasyDUAL™ 3B功率模块，英飞凌的工业级碳化硅产品系列是市场上最广的。
产品特点
Easy1B、2B和3B模块封装
1200V CoolSiC™ MOSFET，具有增强型沟槽栅技术
扩大了推荐的栅极驱动电压窗口，+15...+18V和0...-5V
扩展的最大栅极-源极电压为+23V和-10V
过载条件下的最高工作结温Tvjop高达175°C
Sixpack三相桥、电平或半桥拓扑
PressFIT引脚
预涂热界面材料(Easy 3B)
应用价值
市场上最广工业碳化硅模块产品系列
与标准CoolSiC™ M1芯片相比，RDson降低了12%
减少了动态因素引起的漂移
应用领域
伺服驱动器
不间断电源
电动汽车充电器
太阳能逆变器
网络在线学习，官网开通学习账号，刷够基础课时，开通考试资格！考核通过颁发行业证书！全国通用，终身有效！限时惊喜优惠！
现在就报名吧！
关于联合开展“北京市高精尖产业技能提升项目电源系统工程师培训”的通知（政府支持、行业培训、国家补贴、技能提升）
扫描二维码 进入中国电源手机APP
扫描二维码 进入
综合年鉴《走向辉煌的电源产业》工具书表单页面
扫描二维码进入
全国电源与新能源行业专家智库官网
[行会关注] 中国新能源与电源行业专家智库专家与工程师认证网上申报系统正式上线
扫描二维码进入
行业专家智库入库申报系统
扫描二维码进入
《电源工业》杂志书橱（电子阅读历年期刊）
扫描二维码申请
添加微信 获得免费 月推送电子阅读版
《电源工业》新媒体
行业：电力电子电源 化学物理电源 新能源 电动车
资讯：党建工作 特别关注 行业新闻 社会微博 行业活动
技术：技术应用 研究探讨 案例分析 数据中心
市场：市场行情 展会新闻 咨询服务 会议报道 知识产权
报道：特别报道 政策解读 新观察 行业热点 绿色节能
广告：企业实力展示 新产品广告 品牌宣传
编辑部电话：010-63531554
发行部电话：010-63622981
投稿邮箱：ad@powermagazine.cn（欢迎投稿）
杂志网站：www.powermagazine.cn（下载电子版）
扫描二维码 进入会员入会电子表单填报系统
行业平台项目
国家高新技术企业认定-行业申请
北京市项目基金补贴-行业申请
知识产权公共服务电源行业工作站
北京市知识产权商标品牌指导站
电源行业知识产权维权纠纷调解委员会
国家版权局电源行业工作站
咨询电话：010-83520995/6510