产业周报第18期

IGBT正在成为新兴领域“芯”引擎

近日，IGBT领域的消息频发。宏微科技与瀚海聚能达成战略合作协议，双方将围绕可控核聚变实验装置的主电源等核心系统开展合作，宏微科技为其提供可以进入“人造太阳”核心环节的定制化IGBT功率模块。士兰微和赛晶科技均在近期发布的上半年业绩报告中表示，其IGBT产品在新能源汽车、储能、风电等领域的应用越发广泛，成为公司盈利的主要因素和关键驱动力。如今，随着IGBT技术的不断增强，应用领域持续拓宽，特别是在新兴领域中，IGBT正在逐渐成为推动行业变革的关键力量。随着新能源汽车、新型储能、人形机器人、低空经济等新兴领域的爆发式发展，IGBT的应用场景进一步扩展，性能也在逐渐提升。QYResearch的数据显示，在双碳战略与新能源产业驱动下，2025年中国IGBT市场规模有望突破600亿元，年复合增长率达18.7%，其中包含三大核心增长极。

中国存储大会武汉开幕：官宣重大项目

8月29日，第二届中国计算机学会中国存储大会在光谷科技会展中心开幕。7位院士、千余名专家学者齐聚一堂，共同探讨智能时代下存储技术的前沿发展与产业应用。数据显示，光谷已聚集300余家集成电路企业，构建了从芯片设计、材料、设备到晶圆制造、封装测试的完整产业链条，2024年产业规模近800亿元。目前，光谷锚定“世界存储之都”等目标，正规划建设7平方公里存储器产业创新街区。围绕集成电路企业产品流片、人才引育、场景供给等，光谷制定了体系化普惠政策，全周期支持企业发展，特别是对于集成电路产业集群重大项目，按照固定资产和研发费用投入，单个项目最高支持5亿元。此外，光谷还组建了各类基金，覆盖天使基金、创投、并购等全生命周期的母子基金集群，重点投向集成电路产业领域。专家表示，光谷作为全国四大集成电路产业基地之一，未来有望在数据存储、处理和应用方面取得显著成效。

近10家芯片企业密集并购

据统计，仅在8月，就有近10家上市公司披露了重要的并购或股权投资计划。

以芯原股份、国科微、芯导科技、晶丰明源等为代表的知名企业，正通过密集的资本运作，开启一场围绕技术补强和产业链垂直整合的“买买买”模式，这些交易涉及的领域十分广泛，从传统的电源管理芯片、功率半导体，到半导体设备、精密零部件，再到前沿的RISC-V架构、特种工艺晶圆代工。这清晰地勾勒出中国半导体产业通过内部整合，加速国产化替代的路线图。

一批集成电路新公司成立

8月份以来，集成电路领域一批新公司相继成立。从地区来看，新公司范围分布在上海、杭州、佛山、无锡、苏州、成都、呼和浩特等地。从产业链来看，此次新成立的公司涵盖功率半导体、IC设计、半导体设备等领域。

中国科学家成功研制出全球首款芯片

8月27日，北京大学王兴军教授—舒浩文研究员和香港城市大学王骋教授联合团队于《自然》在线发表科研成果——在国际上研制出首款基于光电融合集成技术的自适应全频段高速无线通信芯片，为6G通信技术实用化奠定了颠覆性的硬件基础。研究团队提出了“通用型光电融合无线收发引擎”的概念，基于先进的薄膜铌酸锂光子材料平台，成功研制出超宽带光电融合集成芯片，实现了超过110 GHz覆盖范围的自适应可重构高速无线通信。据“北京大学介绍”，这种芯片在11 mm × 1.7 mm的微小功能区域内，对宽带无线-光信号转换、可调谐低噪声载波或本振源产生以及数字基带调制等完整无线信号处理功能进行了集成，实现了系统级的高度集成。

天岳先进成功登陆港交所

近日，山东半导体材料龙头天岳先进成功登陆港交所。天岳先进成立于2010年，是第一批在国内实现了半绝缘型碳化硅衬底的产业化的公司，并进一步实现导电型碳化硅衬底的产业化。其量产碳化硅衬底的尺寸已从2英寸迭代升级至8英寸，并在2024年11月推出业内首款12英寸碳化硅衬底。其碳化硅材料为新能源与AI两大产业提供核心支撑，碳化硅衬底可广泛应用于电动汽车、AI数据中心、光伏系统、AI眼镜、轨道交通、电网、家电及先进通信基站等领域。根据弗若斯特沙利文的资料，截至2025年3月31日，天岳先进是全球少数能够实现8英寸碳化硅衬底量产、率先实现2英寸到8英寸碳化硅衬底商业化的公司之一，也是率先推出12英寸碳化硅衬底的公司，并且是率先使用液相法生产P型碳化硅衬底的公司之一。天岳先进已跻身为国际知名半导体公司的重要供应商，截至2025年3月31日，已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立业务合作关系。2022年1月12日，天岳先进在A股上交所科创板上市，成为首个在中国上市的宽禁带半导体材料公司。

三安光电：湖南三安8吋SiC芯片产线已通线投产

近日，三安光电在投资者互动平台透露，湖南三安8吋碳化硅芯片产线已通线。意味着湖南三安半导体正式转型为8英寸SiC垂直整合制造商。三安光电称，湖南三安已拥有6吋碳化硅配套产能16,000片/月，8吋碳化硅衬底产能1,000片/月、外延产能2,000片/月，8吋碳化硅芯片产线已通线，同时拥有硅基氮化镓产能2,000片/月。此外，安意法已于2025年2月实现通线，首次建设产能2,000片/月；重庆三安首次建设产能2,000片/月，已开始逐步释放产能。据悉，湖南三安SiC项目总投资高达160亿元，旨在打造6吋/8吋兼容SiC全产业链垂直整合量产平台。项目达产后，将具备年产36万片6吋SiC晶圆、48万片8吋SiC晶圆的制造能力。

海力士独家首发新型DRAM

8月28日SK海力士宣布，已开发出业内首款采用高介电常数（High-K）EMC材料的高散热移动DRAM产品，并开始向客户供应。SK海力士专注于提升DRAM封装核心材料——EMC的导热性能。公司在原本的EMC硅石材料中混合应用氧化铝，开发出了新型High-K EMC材料。SK海力士表示：“该材料的导热性能相比传统EMC提升了约3.5倍，从而使热量垂直传导路径的热阻改善了47%。”SK海力士副社长（负责PKG产品开发）李圭济表示：“我们将通过材料技术创新，进一步巩固在下一代移动DRAM市场的技术领导地位。”