矽磊芯品 | 0.1~8GHz 全正电带全关断功能的吸收式单刀双掷开关产品发布

SW070008DTX是一款基于GaAs FET工艺设计的吸收式单刀双掷开关芯片，在0.1~8GHz频率范围内兼具较低的插入损耗与优良的端口驻波特性。芯片采用全正电控制方案，内部集成译码器电路，大幅简化外围电路设计；芯片不包含隔直电容，适配多样化的电路匹配需求，同时搭载实用的一键关断功能，操控灵活便捷，可广泛应用于射频微波通信、测试测量、无线射频前端等各类射频系统。

产品特点：

• 全正电控制，集成驱动并带有一键关断功能

• 工作频段：0.1~8 GHz

• 插入损耗：0.9 dB@8 GHz

• 隔离度：60 dB@8 GHz

• 控制电压电流：0/+3.3V@0.23mA

• 供电：+5V@1.85mA

• 输入/输出阻抗：50 Ohm

• 100%在片测试

• 芯片尺寸：1.20mm×1.08mm×0.10mm

电气性能参数（TA=25℃，Pin = -10dBm,VDD = +5V，控制电压：0/+3.3V）：

典型S参数曲线（TA=25℃，Pin = -10dBm,VDD = +5V，控制电压：0/+3.3V）：

管脚定义：

备注： 1.图中单位均为微米；

          2.键合焊盘的尺寸为100μm×100μm