在 2026 年 VLSI 大会上，行业专家指出，当前产能本就紧张，若因堆叠层数增加导致良率下滑、进而降低单座工厂的产量，将是业界最不愿看到的局面。为此，铠侠与三星均展示了新的“混合键合”技术路线，旨在突破 1000 层以上的存储密度极限。
具体来看，铠侠展出了多层堆叠样品：包括由两层 218 层结构组成的双堆叠样品，用于解决对准和翘曲等物理难题；以及由两层 17 层结构组成的样品，用于测试电气性能和可靠性。三星的方案则更为激进，其展示的样品中，机械验证部分采用了三层堆叠（每层 450 层），而电气测试部分则采用了单层堆叠（155 层）结构。