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韩国计划五年内 DRAM 产能翻番,推动全球内存市场规模激增四倍
2026-06-30 10:25 星期二
韩国政府近日公布了一项宏大的半导体发展蓝图,计划在西南部地区投入约 800 万亿韩元,新建四座芯片工厂。该项目由三星电子和 SK 海力士联手推进,两家公司将各负责两座晶圆厂的建设。
根据规划,韩国目标在未来五年内将 DRAM(动态随机存取存储器)的产能翻一番。与此同时,业界预测全球内存市场规模在同一时期也将扩大四倍。除了建厂,未来 15 年内还将至少追加 30 万亿韩元,专门用于新一代存储芯片的研发。
三星与 SK 海力士共同表示,未来十年的总投资额有望突破 1000 万亿韩元。此外,双方还承诺在 2035 年前,向人工智能(AI)数据中心领域投入超过 1000 万亿韩元,以抢占未来科技高地。
根据规划,韩国目标在未来五年内将 DRAM(动态随机存取存储器)的产能翻一番。与此同时,业界预测全球内存市场规模在同一时期也将扩大四倍。除了建厂,未来 15 年内还将至少追加 30 万亿韩元,专门用于新一代存储芯片的研发。
三星与 SK 海力士共同表示,未来十年的总投资额有望突破 1000 万亿韩元。此外,双方还承诺在 2035 年前,向人工智能(AI)数据中心领域投入超过 1000 万亿韩元,以抢占未来科技高地。
AI解读
1、韩国大幅扩充 DRAM 产能将缓解全球存储芯片短缺,利好消费电子及 AI 硬件卖家降低采购成本。但产能激增可能引发价格战,压缩低附加值电子产品的利润空间,加速行业洗牌。
2、建议3C 卖家趁原材料成本下行窗口期优化定价策略,提升性价比竞争力。同时避免盲目囤积通用型存储产品,转向高毛利、强品牌的差异化选品,以规避未来可能的价格暴跌风险。
免责声明:内容由AI生成
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