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SK海力士加速推进1c制程DRAM量产：良率提升至80%，超50%产线将在今年完成切换
2026-04-09 09:03 星期四
SK海力士正加速推进10纳米第六代（1c）DRAM技术，大幅增加极紫外（EUV）设备投入，投资额约为原计划的三倍。该公司正全力开发该技术，用于新一代第七代高带宽内存HBM4E的核心芯片，并计划今年内向客户交付样品。由于主要客户英伟达预计明年下半年推出搭载HBM4E的AI加速器“Vera Rubin Ultra”，SK海力士需加快研发与量产节奏。目前，其通用DRAM的1c工艺良率已达80%。今年内，公司将把超一半的DRAM产能转向1c工艺，预计年底实现约19万片月产能。
AI解读
1、该进展虽属半导体上游，但将加速AI服务器及高端终端迭代，间接拉动高附加值3C配件、AI硬件周边、散热模组等跨境品类需求；同时HBM供应链升级可能推升国产替代类存储模块、测试治具、专用物流包装等B2B细分赛道出口机会。
2、建议卖家关注HBM4E配套生态：提前备货兼容性验证的DDR5内存模组、工业级散热支架、ESD防护包装及AI服务器用精密结构件；同步对接国内HBM封测厂配套服务商，布局B2B Alibaba/Amazon Business定向开发；规避消费级内存零售红海，转向技术文档+本地化售后的解决方案型出海。
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