三星电子在英伟达GTC大会上首次公开一款新型芯片，表明其正全力支持英伟达下一代Vera Rubin AI平台。同时，三星推出混合铜键合（HCB）封装技术，突破传统热压键合的物理瓶颈，使高带宽存储器（HBM）可堆叠至16层以上，并将散热阻力降低20%以上。此外，专为英伟达AI基础设施开发的HBM4和SOCAMM2两款产品已进入量产阶段。