三星电子1c工艺DRAM良率超80%，HBM4良率近60%

2026-02-25 09:58 星期三

三星电子已将1c DRAM在高温环境下的良率提升至80%，较2025年第四季度的60%–70%明显改善，预计今年5月左右可达90%。同时，基于1c DRAM的HBM4良率也升至近60%，高于去年底的约50%。