HBM（高带宽内存）从问世到成为行业主流用了约十年，而它的“闪存版”——HBF（高带宽闪存）可能更快落地。SK海力士正联合闪迪推进HBF标准制定，并计划最早在今年推出第一代样品HBF1，该产品将采用16层NAND闪存堆叠技术。
业内专家指出，三星电子和闪迪有望在2027年底至2028年初，把HBF技术应用到英伟达、AMD和谷歌的实际产品中。由于HBF沿用了HBM研发中积累的堆叠工艺和设计经验，开发进度明显加快。
HBF结构类似HBM，但堆叠的是NAND闪存而非DRAM芯片。简单类比：HBM像书房——容量小、速度快、响应灵敏；HBF则像图书馆——容量大得多，但访问延迟略高。