西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队在芯片散热与性能提升方面取得重要进展：他们成功研制出原子级平整的氮化铝薄膜，取代了传统不规则的“岛状”结构，大幅提升了芯片的导热效率。这一突破解决了射频芯片长期面临的功率提升瓶颈。 基于该薄膜开发的氮化镓微波功率器件，在X波段和Ka波段的输出功率密度分别达42 W/mm和20 W/mm，比当前国际主流产品高出30%至40%，是近二十年来该领域性能提升最显著的一次。 实际应用中，同样尺寸的芯片可让雷达探测距离更远；通信基站则能覆盖更广区域、同时降低能耗。这项技术将有力支撑5G/6G通信、卫星互联网等新一代信息基础设施建设。