事关氧化镓，日本大厂重磅宣布

据报道，三菱电机将在熊本县菊池市酒酒井地区建造一座新的碳化硅（SiC）工厂大楼，并提前投入运营。原定于 2026 年 4 月建成，将于 2025 年 11 月开始运营。这是为了满足汽车和工业设备对SiC的强劲需求。我们还专注于碳化硅以外的研究和开发。

除此以外，三菱认为氧化镓（氧化镓 ）被认为是有前途的，并且正在努力在2030年代将其投入实际应用。

在去年三月，三菱电机宣布，将增产高效节能的碳化硅（SiC）功率半导体。计划投资约1000亿日元，在熊本县菊池市的工厂建设新厂房。预计2026年度的晶圆产能将大幅增加，达到2022年度的5倍。

2021～2025年度5年内，功率半导体相关设备投资将达到2600亿日元。新增1300亿日元，比原计划（1300亿日元）实现倍增。因为在纯电动汽车（EV）普及等背景下，功率半导体的需求越来越大。到2020年度5年内的业绩为1000亿日元。

新厂房将于2026年4月投产。在蚀刻电路的「前制程」， 三菱电机将首次使用生产效率更高的直径200毫米的晶圆。2022年停产的液晶模块工厂将转为生产功率版工体。在同样负责前制程的熊本县合志市的工厂也将增强150毫米晶圆生产设备。

分割晶圆做成产品的「后制程」方面，三菱电机将在功率器件制作所（福冈市）投资100亿日元建设新厂房。将分散的工艺集中起来。

三菱电机2010年开始量产碳化硅功率半导体。据法国调查公司Yole统计，三菱电机2021年碳化硅功率半导体的全球份额排在第6名。在日本企业中仅次于排在第4名的罗姆。富士电机及东芝也进入世界前十。第一名是瑞士的意法半导体。

三菱电机提出了到2025年度将功率半导体销售额提高到2400亿日元、比2021年度增长34％的目标。营业利润率的目标是达到10％。现在占主流的硅功率半导体也在增强生产，2022年4月在广岛县福山市的新工厂开始量产。计划2024年度开始使用300毫米晶圆进行量产。

去年八月，三菱电机又宣布，公司在日本福山功率器件工厂完成首条12英吋硅晶圆加工生产线的安装，计划2025财年开始在12英吋硅晶圆新产线上量产，稳定供应功率半导体器件，同时布局第四代宽禁带半导体材料氧化镓，接下来将继续研究氧化镓功率芯片和功率器件。

8月29日，三菱电机宣布其位于日本福山的功率器件工厂完成首条12英吋硅晶圆加工生产线的安装，样品生产和测试验证了该生产线加工的功率半导体芯片达到了要求的性能水平。三菱电机计划2025财年开始在新的12英吋硅晶圆线上大规模生产，推动稳定供应功率半导体器件。

功率半导体又称电力电子器件，其典型的功率处理功能包括变频、变压、变流、功率放大、功率管理等。三菱电机成立于1921年，开发和生产半导体67年，功率半导体是其业务增长的主要动力，其半导体产品应用于变频家电、轨道牵引、工业与新能源、电动汽车、模拟/数字通讯以及有线/无线通讯等领域。

“三菱电机将集中精力开发12英吋硅晶圆和8英吋碳化硅（SiC）晶圆。”三菱电机半导体大中国区总经理赤田智史8月30日表示。今年3月，三菱电机宣布将在2026年3月前的五年内投资约2600亿日元，主要用于新建晶圆厂，增加碳化硅功率半导体的生产，并计划2026年4月开始稼动位于日本熊本县菊池市的8英吋碳化硅晶圆新工厂。

位于熊本县合志市的6英吋碳化硅晶圆厂也要扩产，到2026年碳化硅产能预计扩大到目前的5倍左右。赤田智史表示，预计到2030年，三菱电机碳化硅功率模块营收占比将提升到30%以上。

三菱电机也在布局研发第四代宽禁带半导体材料氧化镓。

企业年7月，三菱电机宣布入股成立于2015年的Novel Crystal Technology，该公司主要开发新型半导体材料氧化镓。双方将合作开发氧化镓功率半导体，三菱电机功率器件制作所高级技术顾问近藤晴房表示，碳化硅功率模块的商业化应用已超10年，现在是时候导入新的宽禁带材料了，作为新型半导体材料，氧化镓肯定会面临很多技术挑战，三菱电机接下来将继续研究氧化镓功率芯片和功率器件。

今年四月，三菱的投资企业额，专注于氧化镓技术的Novel Crystal Technology (NCT)已成功利用垂直布里奇曼 (VB) 技术生长出首颗 6 英寸 氧化镓单晶。这一成就标志着 NCT 在为基于 氧化镓 的功率器件提供更大、更高质量的半导体晶片方面迈出了重要一步。

信州大学率先开发了氧化镓单晶的垂直布里奇曼生长技术（如上图所示） ，并成功实现了 2 英寸和 4 英寸晶体的生长。NCT 收购并扩展了该技术，从而能够开发更大直径的晶体。

与 NCT 现有的边缘定义薄膜生长 (EFG) 方法相比，VB 技术具有多项优势。通过以圆柱形生长晶体，VB 可显著降低与基板切割相关的成本。此外，它还允许生产各种晶体取向的基板，不受晶体各向异性限制的限制。

此外，与 EFG 相比，VB 生长的受控热环境可带来更优异的晶体质量和最少的缺陷。最后，预计衬底内的掺杂剂均匀性将得到改善，与硅等其他半导体的行业标准保持一致。

NCT 与日本产业技术综合研究所 (AIST) 合作对 VB 和 EFG 晶体进行了比较评估，结果显示晶体质量显著提高。同步辐射 X 射线形貌分析证实，VB 生长晶体中的缺陷极少，而 EFG 生长晶体中观察到的缺陷密度较高。这清楚地证明了 VB 技术在生产高质量 氧化镓基板方面的优势。

NCT 成立于 2015 年，生产用于功率器件的 2 英寸和 100 毫米 氧化镓基板和外延晶圆。这些产品已在市场上销售，并被世界各地的大学、研究所和功率器件公司使用。

NCT 正在积极开发更大的基板，例如 6 英寸。除了基板之外，NCT 还计划生产更广泛的 氧化镓器件。他们已经提供首款 氧化镓肖特基势垒二极管的样品，预计鉴定测试将于 2024 年 9 月完成。

该研发项目部分资金来自日本科学技术振兴机构（JST）通过目标驱动研发的适应性无缝技术转移计划（A-STEP）。