中科富海气体工程 | 电子特气生产和供应
中科富海 
电子特种气体是特种气体的一个重要分支，是集成电路、显示面板等电子工业生产中不可或缺的原材料。在整个半导体行业的生产过程中从芯片生产到最后器件的封装几乎每一个环节都离不开电子特气，像光刻、刻蚀、离子注入等，而且所用气体的品种多质量要求高，所以电子特气被誉为半导体的“血液”。
刻蚀是采用化学和物理方法，有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。刻蚀的目的是在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形。分为刻蚀方法有湿法化学刻蚀和干法化学刻蚀。干法化学刻蚀利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基与材料发生化学反应，通过轰击等物理作用达到刻蚀的目的。其主要的介质是气体。
硅片刻蚀气体主要是的氟基气体，包括CF4、SF6、C2F6、NF3 ，以及氯基（Cl2）和溴基（Br2、HBr）气体等。常用的刻蚀气体如下表：
在半导体器件和集成电路制造中，将某些杂质掺入半导体材料内，使材料具有所需要的导电类型和一定的电阻率，以制造电阻、PN 结、埋层等，掺杂工艺所用的气体称为掺杂气体。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、乙硼烷等。通常将掺杂源与运载气体（如氩气和氮气）在源柜中混合，混合后气流连续注入扩散炉内并环绕晶片四周，在晶片表面沉积上掺杂剂，进而与硅反应生成掺杂金属而徙动进入硅。常用掺杂混合气如下：
外延沉积是为了在衬底晶圆上镀上一层薄膜作为缓冲层阻止有害杂质进入硅衬底。常用的方法有化学气相沉积法（CVD）和物理气相沉积法（PVD），化学气相沉积法用到大量电子气体。化学气相沉积是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术。
在半导体工业中，在仔细选择的衬底上选用化学气相淀积的方法，生长一层或多层材料所用的气体叫作外延气体。常用的硅外延气体有SiH2Cl2、SiCl4 和SiCl4 等。外延主要有外延硅淀积、氧化硅膜淀积、氮化硅膜淀积，非晶硅膜淀积等。外延是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。常用半导体外延混合气组成如下表：
中科昊海三期拟投资建设集成电路&光电材料电子特气项目，总投资约5亿元，占地100亩。依托中科富海自主知识产权核心技术，以及充分利用昊源化工尾气资源，采用合成、低温分离、提纯等技术，生产出电子级高纯一氧化碳、电子级高纯二氧化碳、电子级高纯氨以及电子级稀有气体混配气。本项目的实施，可以提高资源利用效率，有效降低能耗和生产成本。建成后产品将广泛应用于集成电路光刻机配套、OLED显示面板制造工艺、集成电路制造中的清洗工艺和蚀刻工艺等，进一步增强公司在电子特气领域的市场份额和影响力。
中科富氦（中山）气体开发有限公司2021年6月成立于广东中山，其地址位于广东省中山市三角镇高平园区，占地面积约为62亩，主要投资建设中科富海综合气体岛项目，项目总投资4亿元人民币。中科富海综合气体岛项目建设周期为12个月，将建设氢能供应生产线、氦气分装生产线、高纯空气产品生产线、电子特气生产线、办公用房及相关配套设施等，项目全部投产后3年内可达产。目标是打造大湾区的氦气供应基地、氢气供应基地及特种气体供应基地，同时成为中山市及周边区域的工业气体供应基地。
中科富鑫电子特气项目
江苏中科富鑫气体有限公司地处长三角的新材料科技产业园区——常州金坛经济开发区，于2022年1月成立，注册资本8000万元人民币，是依托母公司强大的研发与创新能力，由中科富海与常州湘玖材料合资成立的集工业气体、电子特气以及氢能源为一体的生产和供应基地。公司专注于气体领域，突破国外巨头的市场与技术壁垒，致力于解决我国半导体行业所需电子特气的卡脖子问题，为化工、新能源、半导体制程、液晶面板、Led、光伏等领域客户提供专业优质的气体产品及应用技术等一体化解决方案。
中科富海专注电子特种气体的研发、生产和销售，是国内特种气体的领域的生厂商和供应商。公司产品线涵盖高纯电子特种气体、高纯稀有气体、工业气体等。中科富海拥有专业的核心团队和成功的运营经验，能够供应和国际头部工厂同等品质的高纯电子特气产品；同时拥有可靠安全稳定的运行经验，优质的气体供应链资源，可提供专业定制化设计方案及高质量的工程建设方案，为客户创造更大价值。
